电子元件与材料2023，Vol.42Issue(3)：329-333,5.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2023.1666
1200 V SiC MOSFET重复非钳位感性开关测试的退化机制研究
Degradation mechanism of 1200 V SiC MOSFET with repetitive unclamped-inductive-switching
摘要
关键词
非钳位感性开关/静态参数/动态参数/退化/电荷注入分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
谈威,鹿存莉,季颖,赵琳娜,顾晓峰..1200 V SiC MOSFET重复非钳位感性开关测试的退化机制研究[J].电子元件与材料,2023,42(3):329-333,5.基金项目
国家自然科学基金(61504049) （61504049）
江苏省研究生科研与实践创新计划项目(KYCX18_1855) （KYCX18_1855）
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(JUSRP51510) （JUSRP51510）
江苏省博士后科学基金(2018K057B) （2018K057B）
江苏省产学研合作项目(BY2022087) （BY2022087）
