电子与封装2023，Vol.23Issue(4)：60-64,5.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0031
应用于STT-MRAM存储器的高可靠灵敏放大器设计
Design of High-Reliability Sensing Amplifier Applied to STT-MRAM Memory
李嘉威 1吴楚彬 1王超 1孙杰杰 1杨霄垒 1赵桂林1
作者信息
- 1. 中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡214035
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摘要
关键词
自旋转移矩磁性随机存储器/2T-2MTJ/高可靠性/灵敏放大器分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
李嘉威,吴楚彬,王超,孙杰杰,杨霄垒,赵桂林..应用于STT-MRAM存储器的高可靠灵敏放大器设计[J].电子与封装,2023,23(4):60-64,5.
