电子与封装2023，Vol.23Issue(4)：69-74,6.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0027
基于衬底材料优化的抗辐射功率器件SEB加固技术
Radiation Resistant Power Device SEB Reinforcement Technology Based on Substrate Material Optimization
徐政 1郑若成 1吴素贞 1徐海铭 1廖远宝 1唐新宇1
作者信息
- 1. 中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡214035
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摘要
关键词
功率VDMOS/SEB/缓冲层/抗辐射加固分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
徐政,郑若成,吴素贞,徐海铭,廖远宝,唐新宇..基于衬底材料优化的抗辐射功率器件SEB加固技术[J].电子与封装,2023,23(4):69-74,6.
