电子元件与材料2023，Vol.42Issue(4)：445-450,6.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2023.1651
hBN栅绝缘介质石墨烯射频场效应管建模与性能研究
Modeling and performance of graphene RF FET with hBN gate insulating medium
摘要
关键词
石墨烯/六方氮化硼/场效应晶体管/射频特性/TCAD分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
王进军,白斌辉,徐晨昱,杨嘉伦,刘宇..hBN栅绝缘介质石墨烯射频场效应管建模与性能研究[J].电子元件与材料,2023,42(4):445-450,6.基金项目
2018年度陕西省教育厅科研计划项目(18JK0103) （18JK0103）
