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基于级联神经网络的SiC MOSFET结温预测模型

朱靖 刘新超 谷晓钢 黄玲琴

电子元件与材料2023,Vol.42Issue(4):458-466,9.
电子元件与材料2023,Vol.42Issue(4):458-466,9.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2023.1654

基于级联神经网络的SiC MOSFET结温预测模型

Prediction model of SiC MOSFET junction temperature based on cascaded neural networks

朱靖 1刘新超 1谷晓钢 1黄玲琴1

作者信息

  • 1. 江苏师范大学 电气工程及自动化学院, 江苏 徐州 221000
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摘要

关键词

SiC MOSFET/结温预测/级联神经网络/误差

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

朱靖,刘新超,谷晓钢,黄玲琴..基于级联神经网络的SiC MOSFET结温预测模型[J].电子元件与材料,2023,42(4):458-466,9.

基金项目

国家自然科学基金(62074071,61801197) (62074071,61801197)

2021江苏高校"青蓝工程"资助项目 ()

江苏省研究生科研与实践创新计划项目(KYCX21_2624) (KYCX21_2624)

江苏省现代教育技术研究所规划课题(2021-R-91616) (2021-R-91616)

电子元件与材料

OA北大核心CSTPCD

1001-2028

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