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不同取向Cu/Cu3Sn界面处原子扩散行为的分子动力学模拟

李姗珊 李晓延 张伟栋 杨刚力 张虎

电子元件与材料2023，Vol.42Issue(4)：467-475,9.
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电子元件与材料2023，Vol.42Issue(4)：467-475,9.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2023.1582

不同取向Cu/Cu3Sn界面处原子扩散行为的分子动力学模拟

Molecular dynamics simulation of atomic diffusion behavior at Cu/Cu3 Sn interfaces with different orientations

李姗珊 1李晓延 1张伟栋 2杨刚力 1张虎1

作者信息

  • 1. 北京工业大学 材料与制造学部, 北京 100124
  • 2. 中国核工业二三建设有限公司, 北京 101300
  • 折叠

摘要

关键词

取向/Cu/Cu3Sn/分子动力学模拟/扩散系数

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

李姗珊,李晓延,张伟栋,杨刚力,张虎..不同取向Cu/Cu3Sn界面处原子扩散行为的分子动力学模拟[J].电子元件与材料,2023,42(4):467-475,9.

基金项目

国家自然科学基金面上项目(5197051636) （5197051636）

电子元件与材料

OA北大核心CSTPCD

1001-2028

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