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不同表面活性剂对浅沟槽隔离CMP中SiO_(2)与Si_(3)N_(4)速率选择性的影响

张月 周建伟 王辰伟 郭峰

电子元件与材料2023，Vol.42Issue(5)：P.578-583,6.
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电子元件与材料2023，Vol.42Issue(5)：P.578-583,6.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2023.1635

不同表面活性剂对浅沟槽隔离CMP中SiO_(2)与Si_(3)N_(4)速率选择性的影响

张月 1周建伟 1王辰伟 1郭峰1

作者信息

  • 1. 河北工业大学电子信息工程学院,天津300130 天津市电子材料与器件重点实验室,天津300130
  • 折叠

摘要

关键词

浅沟槽隔离/化学机械抛光/表面活性剂/速率选择比

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

张月,周建伟,王辰伟,郭峰..不同表面活性剂对浅沟槽隔离CMP中SiO_(2)与Si_(3)N_(4)速率选择性的影响[J].电子元件与材料,2023,42(5):P.578-583,6.

基金项目

国家自然科学基金(62074049)。 （62074049）

电子元件与材料

OA北大核心CSTPCD

1001-2028

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