电子与封装2023，Vol.23Issue(6)：76-79,4.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0062
光电晶体管反向击穿特性研究
Study of Reverse Breakdown Characteristics of Phototransistors
陈慧蓉 1孔德成 1张明 1彭时秋1
作者信息
- 1. 无锡中微晶园电子有限公司,江苏无锡214035
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摘要
关键词
光电晶体管/反向击穿/掺杂浓度/放大倍数分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
陈慧蓉,孔德成,张明,彭时秋..光电晶体管反向击穿特性研究[J].电子与封装,2023,23(6):76-79,4.
