|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|电子元件与材料|增强型β-Ga2O3/4H-SiC异质结VDMOS的设计与研究

增强型β-Ga2O3/4H-SiC异质结VDMOS的设计与研究

王海林 栾苏珍 程梅霞 贾仁需

电子元件与材料2023，Vol.42Issue(6)：666-672,680,8.
✕
电子元件与材料2023，Vol.42Issue(6)：666-672,680,8.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2023.1739

增强型β-Ga2O3/4H-SiC异质结VDMOS的设计与研究

Design and research of enhanced β-Ga2O3/4H-SiC heterojunction VDMOS

王海林 1栾苏珍 2程梅霞 1贾仁需3

作者信息

  • 1. 西安科技大学 通信与信息工程学院,陕西 西安 710054
  • 2. 西安科技大学 通信与信息工程学院,陕西 西安 710054||西安市网络融合通信重点实验室,陕西 西安 710600
  • 3. 西安电子科技大学 微电子学院 宽带隙半导体材料与器件重点实验室,陕西 西安 710071
  • 折叠

摘要

关键词

β-Ga2O3 MOSFET/异质结/增强型/击穿电压/功率品质因数

Key words

β-Ga2O3 MOSFET/heterojunction/enhanced mode/breakdown voltage/power figure of merit

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

王海林,栾苏珍,程梅霞,贾仁需..增强型β-Ga2O3/4H-SiC异质结VDMOS的设计与研究[J].电子元件与材料,2023,42(6):666-672,680,8.

基金项目

国家自然科学基金(61974119,61834005) （61974119,61834005）

电子元件与材料

OA北大核心CSTPCD

1001-2028

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文