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不同波形电压刺激下单晶LiNbO3薄膜忆阻器的电阻可塑性研究

颜昊 潘忻强 谢琴 罗文博 吴传贵

电子元件与材料2023，Vol.42Issue(6)：673-680,8.
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电子元件与材料2023，Vol.42Issue(6)：673-680,8.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2023.0053

不同波形电压刺激下单晶LiNbO3薄膜忆阻器的电阻可塑性研究

Resistance plasticity of single crystalline LiNbO3 thin film memristor under different voltage stimuli with different waveforms

颜昊 1潘忻强 2谢琴 3罗文博 2吴传贵2

作者信息

  • 1. 重庆邮电大学 光电工程学院,重庆 400065||电子科技大学重庆微电子产业技术研究院,重庆 401332
  • 2. 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院,重庆 401332||电子科技大学 电子科学与工程学院,四川 成都 611731
  • 3. 电子科技大学 电子科学与工程学院,四川 成都 611731
  • 折叠

摘要

关键词

传感器/忆阻器/电阻可塑性/电压波形/增强过程/抑制过程

Key words

sensor/memristor/resistance plasticity/voltage waveform/potentiation process/depression process

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

颜昊,潘忻强,谢琴,罗文博,吴传贵..不同波形电压刺激下单晶LiNbO3薄膜忆阻器的电阻可塑性研究[J].电子元件与材料,2023,42(6):673-680,8.

基金项目

国家自然科学基金面上项目(52073041) （52073041）

重庆市自然科学基金面上项目(2022NSCQ-MSX4899) （2022NSCQ-MSX4899）

电子元件与材料

OA北大核心CSTPCD

1001-2028

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