电子元件与材料2023，Vol.42Issue(7)：839-848,10.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2023.0101
空位缺陷和原子掺杂对氮化镓热导率影响的分子动力学模拟
Molecular dynamics simulation of the effect of vacancy defects and atom doping on the thermal conductivity of GaN
摘要
关键词
非平衡分子动力学/氮化镓/空位缺陷/原子掺杂/热导率Key words
non-equilibrium molecular dynamics/GaN/vacancy defects/atomic doping/thermal conductivity分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
高志乐,王继芬..空位缺陷和原子掺杂对氮化镓热导率影响的分子动力学模拟[J].电子元件与材料,2023,42(7):839-848,10.基金项目
国家自然科学基金(51776116) （51776116）
上海市科技计划(22010500600) （22010500600）
