电子与封装2023，Vol.23Issue(9)：45-49,5.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0118
深亚微米SOI工艺高压ESD器件防护设计
Deep Submicron SOI Process High Voltage ESD Device Protection Design
摘要
关键词
高压ESD器件/绝缘体上硅工艺/开放式基极堆叠三极管Key words
high voltage ESD devices/silicon on insulator process/open base stacked triode分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
朱琪,黄登华,陈彦杰,刘芸含,常红..深亚微米SOI工艺高压ESD器件防护设计[J].电子与封装,2023,23(9):45-49,5.基金项目
江苏省博士后科研资助计划(2019K117) （2019K117）
江苏省青年基金(BK20200167) （BK20200167）
