2～6 GHz小型化、高效率GaN功率放大器OA
2-6 GHz Small-Size and High-Efficiency GaN Power Amplifier
基于GaN功率放大器小型化、轻薄化的发展趋势,选用陶瓷方形扁平无引脚(CQFN)管壳封装,设计了一种2～6 GHz宽频带、小尺寸、高效率的功率放大器,并阐述了设计方法和研制过程.随着器件功率密度的不断升高,散热问题成为设计中不可忽略的因素,分别采用热仿真分析及红外热成像测试方法,得到功率放大器芯片的最高温度为198.61 ℃,能满足散热需求.功率放大器尺寸为7.0mm×7.0mm×1.2 mm,在连续波测试条件下,漏极电压为28 V,工作频带为2…查看全部>>
刘健;张长城;崔朝探;李天赐;杜鹏搏;曲韩宾
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电子信息工程
GaN功率放大器陶瓷方形扁平无引脚管壳封装小型化高效率热仿真分析
GaN power amplifierCQFN packageminiaturizationhigh-efficiencythermal simulation analysis
《电子与封装》 2023 (9)
50-54,5
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