首页|期刊导航|电子与封装|SiC MOSFET栅极漏电流传输机制研究

SiC MOSFET栅极漏电流传输机制研究

鹿存莉谈威季颖赵琳娜顾晓峰

电子与封装2023，Vol.23Issue(9)：60-64,5.

电子与封装2023，Vol.23Issue(9)：60-64,5.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0121

Research on the Gate Leakage Current Transport Mechanisms of SiC MOSFET

鹿存莉 ¹谈威 ¹季颖 ¹赵琳娜 ¹顾晓峰¹

作者信息

SiCMOSFET/电流传输机制/FN隧穿/势垒高度

SiC MOSFET/current transport mechanism/FN tunneling/barrier height

信息技术与安全科学

鹿存莉,谈威,季颖,赵琳娜,顾晓峰..SiC MOSFET栅极漏电流传输机制研究[J].电子与封装,2023,23(9):60-64,5.

中央高校基本科研业务费专项资金(JUSRP51510) （JUSRP51510）

江苏省产学研合作项目(BY2022087) （BY2022087）

ISSN：1681-1070

访问量3

下载量0

段落导航