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快速瞬态响应低噪声无片外电容LDO

张涛 吴小奔 刘劲

电子元件与材料2023,Vol.42Issue(9):1143-1149,7.
电子元件与材料2023,Vol.42Issue(9):1143-1149,7.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2023.0116

快速瞬态响应低噪声无片外电容LDO

Fast response and low noise LDO without output capacitor

张涛 1吴小奔 1刘劲1

作者信息

  • 1. 武汉科技大学 信息科学与工程学院,湖北 武汉 430081
  • 折叠

摘要

关键词

LDO/NMOS/无片外电容/瞬态响应/低噪声

Key words

LDO/NMOS/output-capacitor-free/transient response/low noise

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

张涛,吴小奔,刘劲..快速瞬态响应低噪声无片外电容LDO[J].电子元件与材料,2023,42(9):1143-1149,7.

基金项目

国家自然科学基金(61873196) (61873196)

电子元件与材料

OA北大核心CSTPCD

1001-2028

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