| 注册
首页|期刊导航|电子与封装|电偶腐蚀对先进封装铜蚀刻工艺的影响

电偶腐蚀对先进封装铜蚀刻工艺的影响

高晓义 陈益钢

电子与封装2023,Vol.23Issue(11):32-38,7.
电子与封装2023,Vol.23Issue(11):32-38,7.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0143

电偶腐蚀对先进封装铜蚀刻工艺的影响

Influence of Galvanic Corrosion on Copper Etching Process for Advanced Packaging

高晓义 1陈益钢2

作者信息

  • 1. 上海大学材料科学与工程学院,上海 200444||上海飞凯材料科技股份有限公司,上海 201908
  • 2. 上海大学材料科学与工程学院,上海 200444
  • 折叠

摘要

关键词

种子层/先进封装/铜蚀刻/电偶腐蚀/凸点

Key words

seed layer/advanced packaging/copper etching/galvanic corrosion/bump

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

高晓义,陈益钢..电偶腐蚀对先进封装铜蚀刻工艺的影响[J].电子与封装,2023,23(11):32-38,7.

电子与封装

1681-1070

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文