电子与封装2023，Vol.23Issue(11)：54-61,8.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0148
基于16 nm FinFET工艺FPGA的低功耗PCIe Gen3性能研究
Research on Low-Power PCIe Gen3 Performance Based on 16 nm FinFET Process FPGA
季振凯 1杨茂林 1于治1
作者信息
- 1. 无锡中微亿芯有限公司,江苏无锡 214072
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摘要
关键词
FinFET/SRAM 型 FPGA/PCIe Gen3/低功耗Key words
FinFET/SRAM FPGA/PCIe Gen3/low-power consumption分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
季振凯,杨茂林,于治..基于16 nm FinFET工艺FPGA的低功耗PCIe Gen3性能研究[J].电子与封装,2023,23(11):54-61,8.
