电子元件与材料2023，Vol.42Issue(10)：1221-1226,6.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2023.0005
4H-SiC SP-MPS二极管迅回效应的仿真研究
Simulation and study of snapback effect of 4H-SiC SP-MPS diodes
摘要
关键词
4H-SiC/MPS二极管/迅回效应/转折电压/肖特基势垒高度Key words
4H-SiC/MPS diodes/snapback effect/snapback voltage/Schottky barrier height分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
姜佳池,汪再兴,保玉璠,彭华溢,李尧..4H-SiC SP-MPS二极管迅回效应的仿真研究[J].电子元件与材料,2023,42(10):1221-1226,6.基金项目
甘肃省科技厅计划项目(21YF5GA058) （21YF5GA058）
国家自然科学基金青年基金项目(61905102) （61905102）
