高温存储下键合界面演化行为及寿命研究OACSTPCD
Evolution behavior and lifetime of bonding interface under high temperature storage
功率VDMOS已经广泛应用于航天领域,但其在空间长期高温环境下存在键合可靠性下降甚至脱键失效的问题.为评估功率VDMOS高温条件下长期服役能力,需要对相应温度条件下键合强度演化规律、失效机理、寿命评估等方面展开研究.设计150,300℃两组高温存储试验,研究不同高温存储条件下键合强度演化规律及界面IMC演化行为,分析键合失效机理,对键合寿命进行预测.结果表明:键合强度随高温存储时间增加而下降,界面IMC由Au2Al逐步转变为AuAl2;脱键断面裂…查看全部>>
王潮洋;林鹏荣;戴晨毅;唐睿;李金月
北京微电子技术研究所,北京 100076北京微电子技术研究所,北京 100076北京微电子技术研究所,北京 100076北京大学 集成电路学院,北京 100871北京微电子技术研究所,北京 100076
电子信息工程
键合强度Au-Al键合界面高温存储寿命
bonding strengthAu-Albonding interfacehigh temperature storagelifetime
《电子元件与材料》 2023 (10)
1268-1275,8
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