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具有异质结体二极管和N包围型P柱的4H-SiC超结MOSFET

姚登浪 吴栋 张颖 郭祥

电子元件与材料2023，Vol.42Issue(12)：P.1454-1461,8.
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电子元件与材料2023，Vol.42Issue(12)：P.1454-1461,8.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2023.0305

具有异质结体二极管和N包围型P柱的4H-SiC超结MOSFET

姚登浪 1吴栋 1张颖 1郭祥1

作者信息

  • 1. 贵州大学大数据与信息工程学院,贵州贵阳550025 贵州大学半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心,贵州贵阳550025
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摘要

关键词

U-MOSFET/超结/4H-SiC/异质结/击穿电压/反向恢复

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

姚登浪,吴栋,张颖,郭祥..具有异质结体二极管和N包围型P柱的4H-SiC超结MOSFET[J].电子元件与材料,2023,42(12):P.1454-1461,8.

基金项目

贵州省科学技术基金资助项目(黔科合基础[2020]1Y271)。 （黔科合基础[2020]1Y271）

电子元件与材料

OA北大核心CSTPCD

1001-2028

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