|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|电子元件与材料|TSV阵列在温度循环下的晶格变化对电学性能影响的研究

TSV阵列在温度循环下的晶格变化对电学性能影响的研究

梁堃 王月兴 何志刚 赵伟

电子元件与材料2024，Vol.43Issue(1)：P.47-54,8.
✕
电子元件与材料2024，Vol.43Issue(1)：P.47-54,8.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2024.1422

TSV阵列在温度循环下的晶格变化对电学性能影响的研究

梁堃 1王月兴 1何志刚 2赵伟1

作者信息

  • 1. 中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳621999
  • 2. 中国工程物理研究院计量测试中心,四川绵阳621999
  • 折叠

摘要

关键词

TSV阵列/温度循环/绝缘性能/微观缺陷/晶格特性变化

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

梁堃,王月兴,何志刚,赵伟..TSV阵列在温度循环下的晶格变化对电学性能影响的研究[J].电子元件与材料,2024,43(1):P.47-54,8.

基金项目

国家自然科学基金(12305313)。 （12305313）

电子元件与材料

OA北大核心CSTPCD

1001-2028

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文