电子元件与材料2024，Vol.43Issue(1)：P.61-66,6.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2024.1293
650 V IGBT横向变掺杂终端的设计与优化
摘要
关键词
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)/终端/VLD/击穿电压/功率器件分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
高兰艳,冯全源..650 V IGBT横向变掺杂终端的设计与优化[J].电子元件与材料,2024,43(1):P.61-66,6.基金项目
国家自然科学基金(62090012) （62090012）
四川省重点研发项目(2023YFG0004)。 （2023YFG0004）
