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650 V IGBT横向变掺杂终端的设计与优化OA北大核心CSTPCD

中文摘要

绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)器件的最重要参数之一是击穿电压(Breakdown Voltage,BV),影响IGBT器件BV的因素包括:平面工艺PN结扩散终端、界面电荷、杂质在Si、SiO2中具有不同分凝系数等。其中影响IGBT器件耐压能力的重要因素是芯片终端结构的设计,终端区耗尽层边界的曲率半径制约了BV的提升,为了能够减少曲率效应和增大BV,可以采取边缘终端技术。通过Sen…查看全部>>

高兰艳;冯全源

西南交通大学微电子研究所,四川成都611756西南交通大学微电子研究所,四川成都611756

电子信息工程

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)终端VLD击穿电压功率器件

《电子元件与材料》 2024 (1)

P.61-66,6

国家自然科学基金(62090012)四川省重点研发项目(2023YFG0004)。

10.14106/j.cnki.1001-2028.2024.1293

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