|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|电子元件与材料|空间辐射环境下SiC功率MOSFET栅氧长期可靠性研究

空间辐射环境下SiC功率MOSFET栅氧长期可靠性研究

杜卓宏 肖一平 梅博 刘超铭 孙毅

电子元件与材料2024，Vol.43Issue(2)：P.182-189,8.
✕
电子元件与材料2024，Vol.43Issue(2)：P.182-189,8.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2024.1310

空间辐射环境下SiC功率MOSFET栅氧长期可靠性研究

杜卓宏 1肖一平 2梅博 1刘超铭 2孙毅1

作者信息

  • 1. 中国航天宇航元器件工程中心,北京100094
  • 2. 哈尔滨工业大学空间环境与物质科学研究院,黑龙江哈尔滨150001
  • 折叠

摘要

关键词

SiC功率MOSFET/电离辐射/中子辐射/时间依赖的介质击穿(TDDB)/可靠性

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

杜卓宏,肖一平,梅博,刘超铭,孙毅..空间辐射环境下SiC功率MOSFET栅氧长期可靠性研究[J].电子元件与材料,2024,43(2):P.182-189,8.

基金项目

国家自然科学基金(12275061)。 （12275061）

电子元件与材料

OA北大核心CSTPCD

1001-2028

访问量10
|
下载量0
段落导航相关论文