电子元件与材料2024，Vol.43Issue(3)：P.264-269,6.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2024.1455
GaN HEMT栅偏置电压与反向传导电压的解耦合研究
摘要
关键词
GaN HEMT/反向传导能力/栅偏置电压/双脉冲开关/双向变换器分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
周峰,荣玉,郑有炓,陆海..GaN HEMT栅偏置电压与反向传导电压的解耦合研究[J].电子元件与材料,2024,43(3):P.264-269,6.基金项目
国家自然科学基金(62304102) （62304102）
国家重点研发计划(2022YFB3604300)。 （2022YFB3604300）
