SOP8功率MOSFET结壳热阻与封装可靠性研究OA北大核心CSTPCD
为研究SOP8双MOS芯片结壳热阻与封装可靠性,建立了封装芯片模型。运用有限元软件通过构建热-结构模块仿真了在EME-E115与CEL-1702HF两种塑封材料下的芯片结壳热阻情况,分析了热量在封装芯片内部的主要传递路径。对比分析了两种塑封仿真下塑封料外壳体、MOSFET、引线框架的变形与应力情况,研究了粘接层厚度变化对MOSFET最大等效应力的影响。研究结果表明,在SOP8双MOS芯片的内部,热量主要是沿着引线框架基板向塑封料底部进行传递。粘接…查看全部>>
何成刚;朱岚涤;陈胜全;农百乐;刘吉华
五邑大学轨道交通学院,广东江门529020五邑大学轨道交通学院,广东江门529020 佛山市艾乐博机器人股份有限公司,广东佛山528231佛山市艾乐博机器人股份有限公司,广东佛山528231佛山市艾乐博机器人股份有限公司,广东佛山528231五邑大学轨道交通学院,广东江门529020
电子信息工程
SOP8封装MOSFET热阻热应力
《电子元件与材料》 2024 (3)
P.359-366,8
广东省普通高校特色创新项目(2023KTSCX151)广东省基础与应用基础研究基金项目(2019A1515110807)五邑大学高层次人才科研计划项目(AG2018001)。
评论