基于石墨嵌入式结构的SiC功率模块热仿真与优化OA北大核心CSTPCD
SiC器件相比于Si器件,具有更高的功率密度,表现出高的器件结温和热阻。为了提高SiC功率模块的散热能力,提出了一种基于石墨嵌入式叠层DBC的SiC功率模块封装结构,并建立封装体模型。通过ANSYS有限元软件,对石墨层厚度、铜层厚度和导热铜柱直径进行分析,研究各因素对散热性能的影响,并对封装结构进行优化以获得更好的热性能。仿真结果表明,石墨嵌入式封装结构结温为61.675℃,与传统单层DBC封装相比,结温降低19.32%,热阻降低27.05%。各…查看全部>>
王广来;汪涵;倪艳;蔡苗;杨道国
桂林电子科技大学机电工程学院,广西桂林541004桂林电子科技大学机电工程学院,广西桂林541004桂林电子科技大学机电工程学院,广西桂林541004桂林电子科技大学机电工程学院,广西桂林541004桂林电子科技大学机电工程学院,广西桂林541004
电子信息工程
SiC功率模块石墨封装热仿真结构优化
《电子元件与材料》 2024 (3)
P.270-276,7
国家自然科学基金(6226403)广西自然科学基金(2023GXNSFAA026188)。
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