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含空位的二维GaN电子结构和光学性质的第一性原理研究

张丽丽 王晓东 马磊 张文 卫来 黄以能

电子元件与材料2024，Vol.43Issue(3)：P.299-305,7.
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电子元件与材料2024，Vol.43Issue(3)：P.299-305,7.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2024.1248

含空位的二维GaN电子结构和光学性质的第一性原理研究

张丽丽 1王晓东 1马磊 1张文 1卫来 1黄以能2

作者信息

  • 1. 伊犁师范大学物理科学与技术学院新疆凝聚态相变与微结构实验室,新疆伊宁835000
  • 2. 伊犁师范大学物理科学与技术学院新疆凝聚态相变与微结构实验室,新疆伊宁835000 南京大学物理学院固体微结构物理国家重点实验室,江苏南京210093
  • 折叠

摘要

关键词

二维GaN/空位缺陷/能带对齐/吸收光谱/第一性原理

分类

数理科学

引用本文复制引用

张丽丽,王晓东,马磊,张文,卫来,黄以能..含空位的二维GaN电子结构和光学性质的第一性原理研究[J].电子元件与材料,2024,43(3):P.299-305,7.

基金项目

伊犁师范大学提升学科综合实力专项项目(22XKZZ24) （22XKZZ24）

伊犁师范大学校级重点项目(2023YSZD003)。 （2023YSZD003）

电子元件与材料

OA北大核心CSTPCD

1001-2028

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