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基于自适应偏置的无片外电容LDO设计

谢雷婧 张家豪

电子元件与材料2024，Vol.43Issue(4)：P.468-473,6.
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电子元件与材料2024，Vol.43Issue(4)：P.468-473,6.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2024.1557

基于自适应偏置的无片外电容LDO设计

谢雷婧 1张家豪2

作者信息

  • 1. 上海大学微电子学院,上海200444 上海矩智科技有限公司,上海201899
  • 2. 上海矩智科技有限公司,上海201899
  • 折叠

摘要

关键词

无片外电容/有源频率补偿/源随器/自适应偏置/快速瞬态响应

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

谢雷婧,张家豪..基于自适应偏置的无片外电容LDO设计[J].电子元件与材料,2024,43(4):P.468-473,6.

基金项目

国家重点研发计划资助(2021YFB3200600)。 （2021YFB3200600）

电子元件与材料

OA北大核心CSTPCD

1001-2028

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