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具有自适应浮空分裂栅IGBT的特性研究

吴振珲 廖淋圆 赵书 张涛

电子元件与材料2024，Vol.43Issue(4)：P.447-453,7.
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电子元件与材料2024，Vol.43Issue(4)：P.447-453,7.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2024.1466

具有自适应浮空分裂栅IGBT的特性研究

吴振珲 1廖淋圆 1赵书 2张涛1

作者信息

  • 1. 湖南工业大学轨道交通学院,湖南株洲412007
  • 2. 西南交通大学信息科学与技术学院,四川成都610031
  • 折叠

摘要

关键词

IGBT/CSTBT/开关损耗/分裂栅/米勒电容

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

吴振珲,廖淋圆,赵书,张涛..具有自适应浮空分裂栅IGBT的特性研究[J].电子元件与材料,2024,43(4):P.447-453,7.

基金项目

国家重点研发计划(2022YFB3403200) （2022YFB3403200）

湖南省自然科学基金(2022JJ30226)。 （2022JJ30226）

电子元件与材料

OA北大核心CSTPCD

1001-2028

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