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Mist CVD生长的雾滴迁移与早期沉积研究

吴诗颖 陈琳 蒋少清 郭方正 陶志阔

电子元件与材料2024,Vol.43Issue(4):P.454-460,467,8.
电子元件与材料2024,Vol.43Issue(4):P.454-460,467,8.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2024.1629

Mist CVD生长的雾滴迁移与早期沉积研究

吴诗颖 1陈琳 1蒋少清 1郭方正 1陶志阔1

作者信息

  • 1. 南京邮电大学电子与光学工程学院,江苏南京210023
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摘要

关键词

α-Ga_(2)O_(3)/Mist CVD/雾滴/蒸发时间/平均生长速率/均匀性

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

吴诗颖,陈琳,蒋少清,郭方正,陶志阔..Mist CVD生长的雾滴迁移与早期沉积研究[J].电子元件与材料,2024,43(4):P.454-460,467,8.

基金项目

江苏省光电信息功能材料重点实验室开放课题(TK222018) (TK222018)

国家自然科学基金(61574079)。 (61574079)

电子元件与材料

OA北大核心CSTPCD

1001-2028

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