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低维InP材料的表征和生长机理研究

牛艳萍马淑芳董浩琰阳智郝晓东韩斌吴胜利董海亮许并社

发光学报2024，Vol.45Issue(5)：P.779-793,15.

发光学报2024，Vol.45Issue(5)：P.779-793,15.DOI:10.37188/CJL.20240026

牛艳萍 ¹马淑芳 ¹董浩琰 ¹阳智 ¹郝晓东 ¹韩斌 ¹吴胜利 ²董海亮 ³许并社⁴

作者信息

1. 陕西科技大学西安市化合物半导体材料与器件重点实验室,陕西西安710021
2. 西安交通大学第一附属医院肝胆外科,陕西西安710061
3. 太原理工大学教育部先进材料界面科学与工程重点实验室,山西太原030024
4. 陕西科技大学西安市化合物半导体材料与器件重点实验室,陕西西安710021 太原理工大学教育部先进材料界面科学与工程重点实验室,山西太原030024 山西浙大新材料与化工研究院,山西太原030024
折叠

磷化铟/纳米线/纳米柱/材料特性/生长机制

数理科学

牛艳萍,马淑芳,董浩琰,阳智,郝晓东,韩斌,吴胜利,董海亮,许并社..低维InP材料的表征和生长机理研究[J].发光学报,2024,45(5):P.779-793,15.

国家自然科学基金(21972103) （21972103）

山西浙大新材料与化工研究院(2022SX-TD018,2021SX-AT007)。（2022SX-TD018,2021SX-AT007）

OA北大核心CSTPCD

ISSN：1000-7032

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