一种改善IMD3的高线性射频功率放大器OA北大核心CSTPCD
A high linear RF power amplifier with the improved IMD3
基于2μm砷化镓异质结双极型晶体管(GaAs HBT)工艺成功设计出了一款工作在2.4 GHz的高线性、高效率的射频功率放大器(RFPA).针对非线性因素三阶交调失真(IMD3)对电路造成的影响,采用了一种两级功放电路结构,通过对两级偏置中的旁路电路进行调节,得到了两个反相可互消的三阶交调分量,有效地改善了功放非线性指标IMD3的值.对芯片进行测试,所得结果表明:在连续单音信号测试下,功放输出的1 dB压缩点功率(P1dB)为33.3 dBm,功…查看全部>>
A 2.4 GHz radio frequency power amplifier(RF PA)was successfully designed with high linearity and efficiency using a 2 μm gallium arsenide heterojunction bipolar transistor(GaAs HBT)technology.To address the third-order intermodulation distortion(IMD3)caused by nonlinear effect,a two-stage amplifier circuit structure was adopted.By optimizing the bypass circuits in the two-stage bias network,two cancelable third-order intermodulation components were obtained…查看全部>>
张超然;杨以俊;孙晓红
苏州科技大学电子与信息工程学院,江苏苏州 215009苏州科技大学电子与信息工程学院,江苏苏州 215009苏州科技大学电子与信息工程学院,江苏苏州 215009
电子信息工程
三阶交调失真射频功率放大器高线性度异质结双极型晶体管
third order intermodulation distortionradio frequency power amplifierhigh linearityheterojunction bipolar transistor
《电子元件与材料》 2024 (7)
872-877,6
国家自然科学基金(62104167)
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