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基于0.15μm GaAs工艺的高阻带抑制低通滤波器设计

姜严 吴啸鸣 闫慧君 王文斌 嵇华龙 施永荣

电子与封装2024,Vol.24Issue(10):P.69-72,4.
电子与封装2024,Vol.24Issue(10):P.69-72,4.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0127

基于0.15μm GaAs工艺的高阻带抑制低通滤波器设计

姜严 1吴啸鸣 1闫慧君 1王文斌 2嵇华龙 1施永荣3

作者信息

  • 1. 南京邮电大学集成电路科学与工程学院,南京210023
  • 2. 苏州赛迈测控技术有限公司,江苏苏州215000
  • 3. 南京航空航天大学集成电路学院,南京211106
  • 折叠

摘要

关键词

低通滤波器/GaAs/集成无源器件/高阻带

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

姜严,吴啸鸣,闫慧君,王文斌,嵇华龙,施永荣..基于0.15μm GaAs工艺的高阻带抑制低通滤波器设计[J].电子与封装,2024,24(10):P.69-72,4.

基金项目

南京邮电大学引进人才自然科学研究启动基金(NY223037)。 (NY223037)

电子与封装

1681-1070

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