电子元件与材料2024，Vol.43Issue(9)：P.1063-1070,8.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2024.0035
具有沟槽氧化物和P-屏蔽层的4H-SiC MPS的设计与仿真
摘要
关键词
4H-SiC/MPS二极管/迅回效应/转折电压/反向恢复特性分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
蔡艺,汪再兴,姜佳池,王林昌,党超..具有沟槽氧化物和P-屏蔽层的4H-SiC MPS的设计与仿真[J].电子元件与材料,2024,43(9):P.1063-1070,8.基金项目
甘肃省科技厅计划项目(23CXGA0050) （23CXGA0050）
甘肃省科技厅计划项目(23JRRA844) （23JRRA844）
甘肃省科技厅计划项目(23ZDGE001) （23ZDGE001）
甘肃省高校科研创新平台重大培育项目(2024CXPT-17)。 （2024CXPT-17）
