电子元件与材料2024，Vol.43Issue(9)：P.1041-1052,12.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2024.0050
浅析射频SiP多物理场耦合分析关键技术
高成 1刘宇盟 1李军 2黄姣英 1李凯1
作者信息
- 1. 北京航空航天大学可靠性与系统工程学院,北京100191
- 2. 北京无线电测量研究所,北京100039
- 折叠
摘要
关键词
射频SiP/多物理场耦合/综述/数值计算/耦合优化分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
高成,刘宇盟,李军,黄姣英,李凯..浅析射频SiP多物理场耦合分析关键技术[J].电子元件与材料,2024,43(9):P.1041-1052,12.
