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具有可控空穴抽取路径的低损耗4H-SiC双沟槽超结IGBT

吴栋姚登浪郭祥丁召

电子元件与材料2024，Vol.43Issue(9)：P.1071-1080,10.

电子元件与材料2024，Vol.43Issue(9)：P.1071-1080,10.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2024.0091

吴栋 ¹姚登浪 ¹郭祥 ¹丁召¹

作者信息

1. 贵州大学大数据与信息工程学院,贵州贵阳550025 半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心,贵州贵阳550025 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵州贵阳550025
折叠

阻断电压/电导调制/SiC IGBT/导通压降/关断损耗/肖特基

信息技术与安全科学

吴栋,姚登浪,郭祥,丁召..具有可控空穴抽取路径的低损耗4H-SiC双沟槽超结IGBT[J].电子元件与材料,2024,43(9):P.1071-1080,10.

贵州省科学技术基金(黔科合基础[2020]1Y271)。（黔科合基础[2020]1Y271）

OA北大核心CSTPCD

ISSN：1001-2028

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