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Ce^(4+)掺杂调节晶格畸变优化Bi_(4)Ti_(2.95)W_(0.05)O_(12)陶瓷的电学性能

强晓永 刘天天 陈涛 陈阳 王松林

电子元件与材料2024,Vol.43Issue(10):P.1214-1220,7.
电子元件与材料2024,Vol.43Issue(10):P.1214-1220,7.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2024.0299

Ce^(4+)掺杂调节晶格畸变优化Bi_(4)Ti_(2.95)W_(0.05)O_(12)陶瓷的电学性能

强晓永 1刘天天 1陈涛 1陈阳 1王松林1

作者信息

  • 1. 天津科技大学电子信息与自动化学院,天津300222
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摘要

关键词

压电陶瓷/掺杂/晶格畸变/电学性能/微观结构

分类

化学化工

引用本文复制引用

强晓永,刘天天,陈涛,陈阳,王松林..Ce^(4+)掺杂调节晶格畸变优化Bi_(4)Ti_(2.95)W_(0.05)O_(12)陶瓷的电学性能[J].电子元件与材料,2024,43(10):P.1214-1220,7.

基金项目

国家自然科学基金(61971308)。 (61971308)

电子元件与材料

OA北大核心CSTPCD

1001-2028

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