一种应用于温度传感器的高PSRR低温漂带隙基准源设计OA北大核心CSTPCD

针对传统带隙基准不能满足温度传感器高性能需求问题,在电压模带隙基准的基础上,采用SMIC018工艺设计一种可用于温度传感器中的低温漂高电源抑制比带隙基准电压源。利用BJT管电流放大倍数β与温度呈近似线性关系的特性,通过在双极型晶体管的基极到地之间增加一个电阻,实现温度的二阶曲率补偿,降低温漂系数。与现有的二阶温度补偿技术相比具有结构简单、功耗低、补偿效果更理想的优点。同时采用PSRR(Power Supply Rejection Ratio,电源抑制比)增强电路和RC滤波电路,以提高带隙基准电压源的电源抑制比。仿真结果表明,补偿前的温漂系数为9.786×10^(-6)/℃,补偿后的温漂系数为3.03×10^(-6)/℃。低频时电源电压抑制比为-104 dB,全频段范围内(1 Hz~1 GHz)PSRR可实现100 dB以上,功耗仅为0.039 mW。该基准源可应用于对温漂和PSRR要求较高的温度传感器芯片中。