电子与封装2025，Vol.25Issue(1)：P.29-34,6.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0001
适用于STT-MRAM的写电压产生电路设计
莫愁 1王艳芳 1李嘉威 1陆楠楠1
作者信息
- 1. 中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡214035
- 折叠
摘要
关键词
自旋转移力矩随机磁存储器/磁隧道结/宽温区/温度自适应/写电压产生电路分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
莫愁,王艳芳,李嘉威,陆楠楠..适用于STT-MRAM的写电压产生电路设计[J].电子与封装,2025,25(1):P.29-34,6.
