基于体端调制技术的快速瞬态响应LDO设计OA北大核心CSTPCD
随着Wi-Fi 7标准的提出,对低压差线性稳压器(LDO)的瞬态响应能力提出了更高的要求。为满足需要,基于0.11μm CMOS工艺,设计了一种快速瞬态响应的无输出电容高性能LDO。利用体端调制技术,为功率管级缓冲级体端提供自适应偏置,在负载跳变时实现快速瞬态响应。同时,采用以比较器为核心的摆率增强电路,进一步减小LDO输出的下冲电压。主通路通过采用折叠共源共栅与超级源跟随的架构,并使用加入调零电阻的混合共源共栅补偿来提高增益与相位裕度。仿真结果表明,在各负载条件下,相位裕度均能达到50°以上,满足稳定性需求。当负载电流在1μs内从空载跳变到40 mA时,输出下冲电压为123.6 mV,输出过冲电压为45.9 mV,相比传统LDO分别减小了1.26 V和72.5 mV。
夏荣华;陈磊;崔杰
上海电力大学电子与信息工程学院,上海201306上海电力大学电子与信息工程学院,上海201306南京理工大学电子工程与光电技术学院,南京210094
电子信息工程
快速瞬态响应无片外电容体端调制技术Hybrid Cascode补偿超级源跟随
《电子元件与材料》 2024 (12)
P.1493-1501,9
国家自然科学基金青年项目(62001232)。
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