一种低温漂高阶补偿带隙基准电压源设计OA北大核心CSTPCD

针对传统电流型带隙基准电压源温度系数较高的问题,设计了一种新型高阶曲率补偿的带隙基准电压源。该电路在传统电流型带隙基准的基础上增加高阶补偿电路。通过工作在亚阈值区的MOS管产生栅源电压差(ΔV_(GS)),以补偿发射结电压(V_(EB)),实现了高温段补偿。同时通过工作在亚阈值区的差分对产生指数型补偿电流,将补偿电流注入到基准产生电路,实现了低温段补偿。带隙基准电压源在显著降低温度系数的同时实现了较低的功耗。电路基于SMIC 0.18μm CMOS工艺进行设计。仿真结果显示,在1.8 V电源电压下输出基准电压为574 mV,在-40~125℃范围内,温度系数为0.58×10^(-6)/℃,比传统一阶带隙基准降低了约96.2%,低频时电源抑制比为-65.9 dB,线性调整率为0.082%/V,静态电流为26.3μA。