片式钽电容器肖特基发射电流的机理分析OA北大核心CSTPCD
基于肖特基发射电流传导机制,研究一种测试方法,能够推导计算片式钽电容器的肖特基势垒,并分析肖特基发射电流的形成原因,进而评估击穿时间,通过半定量分析阴极制备杂质残留,提出了片式钽电容器的一种混合结构模型。结果表明,MnO_(2)阴极掺杂样品组的肖特基势垒低,击穿时间短;非掺杂组的肖特基势垒高,击穿时间长。说明阴极材料中的金属杂质是导致片式钽电容器高温漏电流增大乃至击穿的主要原因。在对片式钽电容器进行加速寿命试验时,可以利用此方法和模型评估样品的可靠性和工艺缺陷,为失效机理分析、工艺优化和后续加固设计提供理论指导。
邓俊涛;钟山;代东升;胡丹单;余伟;潘齐凤
中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司,贵州贵阳550018中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司,贵州贵阳550018中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司,贵州贵阳550018中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司,贵州贵阳550018中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司,贵州贵阳550018中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司,贵州贵阳550018
动力与电气工程
肖特基界面势垒电流传导击穿
《电子元件与材料》 2024 (12)
P.1449-1455,7
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