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片式钽电容器肖特基发射电流的机理分析

邓俊涛 钟山 代东升 胡丹单 余伟 潘齐凤

电子元件与材料2024,Vol.43Issue(12):P.1449-1455,7.
电子元件与材料2024,Vol.43Issue(12):P.1449-1455,7.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2024.0202

片式钽电容器肖特基发射电流的机理分析

邓俊涛 1钟山 1代东升 1胡丹单 1余伟 1潘齐凤1

作者信息

  • 1. 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司,贵州贵阳550018
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摘要

关键词

肖特基/界面势垒/电流传导/击穿

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

邓俊涛,钟山,代东升,胡丹单,余伟,潘齐凤..片式钽电容器肖特基发射电流的机理分析[J].电子元件与材料,2024,43(12):P.1449-1455,7.

电子元件与材料

OA北大核心CSTPCD

1001-2028

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