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层间距宽化的MoS_(2)纳米片修饰rGO作为锂硫电池催化材料

黄浩洋 夏艳婷 许俊

电子元件与材料2025,Vol.44Issue(2):P.127-134,8.
电子元件与材料2025,Vol.44Issue(2):P.127-134,8.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2025.1372

层间距宽化的MoS_(2)纳米片修饰rGO作为锂硫电池催化材料

黄浩洋 1夏艳婷 1许俊1

作者信息

  • 1. 合肥工业大学微电子学院,安徽合肥230009
  • 折叠

摘要

关键词

锂硫电池/二硫化钼/石墨烯/中间层/层间距宽化

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

黄浩洋,夏艳婷,许俊..层间距宽化的MoS_(2)纳米片修饰rGO作为锂硫电池催化材料[J].电子元件与材料,2025,44(2):P.127-134,8.

基金项目

国家自然科学基金面上项目(52271208) (52271208)

中央高校基本科研业务费(JZ2024HGTG0305)。 (JZ2024HGTG0305)

电子元件与材料

OA北大核心

1001-2028

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