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制备皱纹状介孔C-mSiO_(2)/CeO_(2)复合磨料及其SiO_(2)CMP的应用

王东伟 王胜利 杨云点 罗翀 栾晓东 邵祥清 李瑾

电子元件与材料2025,Vol.44Issue(2):P.231-236,6.
电子元件与材料2025,Vol.44Issue(2):P.231-236,6.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2025.1507

制备皱纹状介孔C-mSiO_(2)/CeO_(2)复合磨料及其SiO_(2)CMP的应用

王东伟 1王胜利 1杨云点 2罗翀 3栾晓东 4邵祥清 2李瑾2

作者信息

  • 1. 河北工业大学电子信息工程学院,天津300130
  • 2. 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司,北京100176
  • 3. 河北工业大学电子信息工程学院,天津300130 河北工业大学创新研究院,河北石家庄050299
  • 4. 江苏海洋大学电子工程学院,江苏连云港222000
  • 折叠

摘要

关键词

化学机械抛光(CMP)/皱纹状/介孔SiO_(2)/复合材料/去除速率

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

王东伟,王胜利,杨云点,罗翀,栾晓东,邵祥清,李瑾..制备皱纹状介孔C-mSiO_(2)/CeO_(2)复合磨料及其SiO_(2)CMP的应用[J].电子元件与材料,2025,44(2):P.231-236,6.

基金项目

河北工业大学创新研究院(石家庄)石家庄市科技合作专项基金资助(SJZZXB23003) (石家庄)

国家自然科学基金(62074049) (62074049)

中国博士后基金(2024M751207)。 (2024M751207)

电子元件与材料

OA北大核心

1001-2028

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