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玻璃基灌封材料助力SiC功率器件在300℃长期运行

CHEN J W LUO T HUANG H B 陈俊伟 曾惠丹

电子与封装2025,Vol.25Issue(4):84-84,1.
电子与封装2025,Vol.25Issue(4):84-84,1.

玻璃基灌封材料助力SiC功率器件在300℃长期运行

Glass-based encapsulant enabling SiC power devices to long-term operate at 300℃

CHEN J W 1LUO T 1HUANG H B 1陈俊伟 1曾惠丹1

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CHEN J W,LUO T,HUANG H B,陈俊伟,曾惠丹..玻璃基灌封材料助力SiC功率器件在300℃长期运行[J].电子与封装,2025,25(4):84-84,1.

电子与封装

1681-1070

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