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基于GaN器件的高效抗辐射DC/DC变换器设计

高东辉 张伶鳦 陈家海 黄煜炜

电子元件与材料2025，Vol.44Issue(5)：P.540-548,555,10.
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电子元件与材料2025，Vol.44Issue(5)：P.540-548,555,10.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2025.1445

基于GaN器件的高效抗辐射DC/DC变换器设计

高东辉 1张伶鳦 1陈家海 1黄煜炜1

作者信息

  • 1. 中国电子科技集团公司第四十三研究所,安徽合肥230088 中国电子科技集团公司第四十三研究所微系统安徽省重点实验室,安徽合肥230088
  • 折叠

摘要

关键词

混合集成/抗辐射/DC/DC变换器/GaN/半桥

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

高东辉,张伶鳦,陈家海,黄煜炜..基于GaN器件的高效抗辐射DC/DC变换器设计[J].电子元件与材料,2025,44(5):P.540-548,555,10.

基金项目

模拟集成电路国家级重点实验室基金项目(JCKY2022210C005)。 （JCKY2022210C005）

电子元件与材料

OA北大核心

1001-2028

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