电子与封装2025，Vol.25Issue(8)：P.87-91,5.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0080
1200 V SiC器件单粒子烧毁效应研究
徐海铭 1王登灿 1吴素贞1
作者信息
- 1. 中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡214035
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摘要
关键词
第三代半导体/SiC功率器件/MOSFET/单粒子烧毁/TCAD仿真分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
徐海铭,王登灿,吴素贞..1200 V SiC器件单粒子烧毁效应研究[J].电子与封装,2025,25(8):P.87-91,5.
