|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|电子元件与材料|基于SDG MOS表面电势理论的PNP BJT过基极电流改进模型研究

基于SDG MOS表面电势理论的PNP BJT过基极电流改进模型研究

刘帅 曹菲 王祖军 邢嘉彬 秦建强

电子元件与材料2025，Vol.44Issue(8)：P.919-927,9.
✕
电子元件与材料2025，Vol.44Issue(8)：P.919-927,9.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2025.0121

基于SDG MOS表面电势理论的PNP BJT过基极电流改进模型研究

刘帅 1曹菲 1王祖军 2邢嘉彬 1秦建强1

作者信息

  • 1. 火箭军工程大学,陕西西安710025
  • 2. 西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应全国重点实验室,陕西西安710024
  • 折叠

摘要

关键词

电离总剂量效应/双极型晶体管/过基极电流/对称双栅MOSFET/表面电势理论

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

刘帅,曹菲,王祖军,邢嘉彬,秦建强..基于SDG MOS表面电势理论的PNP BJT过基极电流改进模型研究[J].电子元件与材料,2025,44(8):P.919-927,9.

基金项目

国家自然科学基金重点项目(U2167208) （U2167208）

陕西省自然科学基金杰出青年科学基金(2024JC-JCQN-10)。 （2024JC-JCQN-10）

电子元件与材料

OA北大核心

1001-2028

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文