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一种40 GSample/s超高速采样保持电路

赵安 李浩 张有涛 罗宁 张长春 张翼

电子与封装2025,Vol.25Issue(11):50-54,5.
电子与封装2025,Vol.25Issue(11):50-54,5.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0130

一种40 GSample/s超高速采样保持电路

40 GSample/s Ultra-High-Speed Sample-and-Hold Circuit

赵安 1李浩 1张有涛 2罗宁 3张长春 4张翼4

作者信息

  • 1. 南京邮电大学集成电路科学与工程学院,南京 210023
  • 2. 南京邮电大学射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室,南京 210023||南京国博电子股份有限公司,南京 211153
  • 3. 南京国博电子股份有限公司,南京 211153
  • 4. 南京邮电大学集成电路科学与工程学院,南京 210023||南京邮电大学射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室,南京 210023
  • 折叠

摘要

Abstract

An ultra-high-speed broadband sample-and-hold circuit was designed based on a 0.7 μm indium phosphide(InP)heterojunction bipolar transistor(HBT)process.The nonlinearity of the input buffer is effectively reduced through an emitter resistor degradation structure.The switch core circuit employs cross-coupling to reduce feedthrough in hold mode.Post-simulation results show that the designed circuit operates stably at a sampling rate of 40 GSample/s.At the Nyquist input signal frequency,the circuit achieves a spur-free dynamic range(SFDR)exceeding 40 dBc.When a 12.1 GHz,-4 dBm signal is input,the circuit achieves an SFDR of 51 dBc,with an effective number of bits of approximately 8 bit.

关键词

采样保持电路/超高速/宽带/磷化铟/异质结双极型晶体管

Key words

sample-and-hold circuit/ultra-high-speed/broadband/indium phosphide/heterojunction bipolar transistor

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

赵安,李浩,张有涛,罗宁,张长春,张翼..一种40 GSample/s超高速采样保持电路[J].电子与封装,2025,25(11):50-54,5.

基金项目

国家自然科学基金(61804081) (61804081)

微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室基金重点项目(614280304012101) (614280304012101)

南京邮电大学科学研究基金(NY221065) (NY221065)

国家留学基金(CSC202108320189) (CSC202108320189)

电子与封装

1681-1070

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