电子元件与材料2025，Vol.44Issue(11)：P.1323-1330,8.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2025.0161
具有N/P埋层结构的SiC RESURF LDMOS器件特性研究
摘要
关键词
SiC LDMOS/击穿电压/降低表面电场/横向电场分布/转移特性分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
王冰琪,汪再兴,蔡艺,刘泊麟,李慧娟..具有N/P埋层结构的SiC RESURF LDMOS器件特性研究[J].电子元件与材料,2025,44(11):P.1323-1330,8.基金项目
甘肃省科技厅计划项目(23ZDGE001) （23ZDGE001）
甘肃省高校科研创新平台重大培育项目(2024CXPT-17) （2024CXPT-17）
集成电路封装与测试重点实验室项目(2023-3-19)。 （2023-3-19）
